半導(dǎo)體量測(cè)檢測(cè)，主要包含：
一、三大方向
1、Metrology
2、Defect inspection
3、Review
二、八種分類
Metrology包含4種分類、Defect inspection包含3種分類、Review包含1種分類
簡(jiǎn)要介紹如下：
三、Metrology關(guān)注方向：
1、膜厚測(cè)量THK（Thickness）
光學(xué)方法量測(cè)或半透明薄膜。Film stack可達(dá)幾百層，金屬層幾百A（埃，厚度單位，
）。如果model建的合理，不同入射光波長(zhǎng)下的折射率（n, RI, refractivity index）和k值（消光系數(shù)），都可以report出來(lái)。
2、光學(xué)方法測(cè)關(guān)鍵尺寸（OCD，Optical Critical Dimension）
原理同THK，但加了一套立體建模的算法。這是組強(qiáng)大的3D建模組件，熟練其功能，幾乎沒(méi)什么畫不出的結(jié)構(gòu)。
3、層與層之間的套刻OVL（Overlay）
半導(dǎo)體之難，難在成百上千的步驟前后配合，一步步根據(jù)設(shè)計(jì)目標(biāo)，做出器件。Process間配合，前后對(duì)準(zhǔn)是起碼的要求。所以，需要monitor.
4、其他
比如Wafer基體厚度，彎曲翹曲（Bow/Warp），1D/2D stress，晶圓形貌Profiler，四點(diǎn)探針測(cè)電阻RS，XPS測(cè)dose含量等，AFM（原子力顯微鏡）/Metal plus（超聲波）測(cè)臺(tái)階高度（Step Height）等。
四、Defect inspection關(guān)注方向：
1、無(wú)圖形Unpattern缺陷檢測(cè)
partical inspection, 包含顆粒的尺寸，位置，種類等。
2、有圖像缺陷檢測(cè)
Pattern inspection. 機(jī)臺(tái)，涵蓋明場(chǎng)暗場(chǎng)等，多種mode和缺陷比對(duì)算法，偶爾聽(tīng)人講起，非常佩服。
3、掩模版缺陷檢測(cè)
Reticle inspection.
五、Defect review關(guān)注方向
針對(duì)inspection掃出的defect（位置，大小，種類），用OM或SEM，確認(rèn)其存在。
OM review，顯微鏡復(fù)檢。
SEM review，掃描電鏡復(fù)檢，用電子束，精度大概1um左右。掃出的Defect Klaf文件有機(jī)會(huì)去SEM上review. 但由于SEM與SFS機(jī)臺(tái)的location有offset（尤其是inspection和review機(jī)臺(tái)來(lái)源于不同廠商時(shí)，位置差異更明顯），常需要fine tune recipe或手動(dòng)尋找。