了解半導(dǎo)體測(cè)試必備的三大設(shè)備：測(cè)試機(jī)、分選機(jī)、探針臺(tái)

半導(dǎo)體量測(cè)檢測(cè)，主要包含：一、三大方向1、Metrology2、Defectinspection3、Review二、八種分類Metrology包含4種分類、De......

半導(dǎo)體IGBT在高功率環(huán)境中散熱方法

絕緣柵雙極晶體管（insulatedgatebipolartransistor，IGBT）是新能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)和高壓電源開關(guān)裝置中的關(guān)鍵部件，也是大功率半導(dǎo)體中具有......

如何正確認(rèn)知半導(dǎo)體功率器件動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)

我們?cè)谶x購功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)時(shí)，都會(huì)先基于各設(shè)備廠商提供的參數(shù)手冊(cè)給出的信息進(jìn)行對(duì)比評(píng)價(jià)，選出備選設(shè)備再進(jìn)行實(shí)測(cè)驗(yàn)證，最后綜合成本、測(cè)試能力范圍、實(shí)測(cè)結(jié)果......

常見的半導(dǎo)體晶圓（Wafer）量測(cè)方法

1.晶圓缺陷粒子檢測(cè)系統(tǒng)顆粒和缺陷：顆粒和缺陷導(dǎo)致晶圓表面不規(guī)則形貌。散射入射光：通過檢測(cè)散射光來監(jiān)測(cè)顆粒和缺陷。晶圓缺陷檢測(cè)系統(tǒng)可以通過獲取缺陷的（X，Y）坐......